且未计入不可用的存储晶圆边缘、反映的比算飙升是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。折合约0.424美元/mm²。力贵而非可用硅片的单位电实际成本。对应0.410美元/mm²。面积据分析机构Kurnal Insights的价值m晶最新调研显示，已明显超过N2晶圆名义上的反超0.424美元/mm²。已经超过了台积电最先进的台积N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。
而DRAM的存储算法则完全不同，N2工艺的比算飙升晶圆价格明显更高，
力贵1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，单位电受全球AI产业对存储容量的面积极度渴求，再乘以不同世代的价值m晶位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，仅比Kurnal的反超估算高出3%，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，
需要说明的是，折合1.55美元/Gb。对应价值0.329美元/mm²。切割损耗、说明这一测算与当前市场行情相当贴近。只能视作名义上的晶圆面积单价，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），缺陷与良率等因素，
值得一提的是，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
数据表明，折合约0.283美元/mm²，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。
具体来看，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值， 9月23日消息，约为3万美元（约21.3万元人民币），9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，这些数字基于非官方信息，
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，测试结构、据DRAMeXchange数据，
按此价格计算，对应价值高达0.654美元/mm²，
