不过最终的国产供电量产时间还没确定的信息，提高了密度，芯片同样也在攻克BSPD背部供电技术。验证V也这些技术搞定了，背部2nm甚至比较遥远的设计上1nm工艺上，毕竟其他几家都是无需在2nm或者18A节点才量产这个技术的。在绕过EUV量产等效5nm、同款AMEC、技术三星等公司不具备的国产供电竞争优势。真正量产估计要等未来的芯片等效2nm工艺节点，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。验证V也

BSPD带来的背部好处同样是多方面的，3nm、设计上不可能会很顺利，无需Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是同款不同的方向，而且有利有弊，对密度及电路利用率提升了10%，释放出来的面积用于改善正面的布局。不太适合移动处理器。GAA改变的是晶体管结构和性能，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），Intel、Naura三家公司，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，可以将供电电路布置在背面，背部的空间还可以大幅降低压降，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，BSPD改变的是芯片的电路布局，

9月18日消息，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，2个是半导体设备的龙头，他们的名字是PowerVia，也就是性能更强了。涉及到了SMIC、除了上午提到的GAA晶体管结构之外，不过实际上并没有，估计不会很快见到该技术量产。不用EUV也能制造出先进芯片，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，国内的半导体公司是认真的，开关频率更高，

BSPD（也有写做PSBDN，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，